지난해 메모리 반도체의 호황에 힘입어 최대 실적을 기록했던 삼성전자와 SK하이닉스가 역대 최대 규모의 연구개발(R&D) 투자를 집행한 것으로 나타났다. 

이 기간 동안 삼성전자는 18조6500억원, SK하이닉스는 2조8950억원의 R&D 비용을 투입했다. 모두 사상 최고 수준이다.

지난해 하반기부터 메모리 반도체 가격이 하락세로 돌아섰지만 향후 고부가가치 제품으로 경쟁업체들과의 '초격차'를 유지하겠다는 전략으로 풀이된다.

2일 금융감독원 전자공시시스템에 따르면 삼성전자의 지난해 R&D 총지출액(연결 기준)은 18조6500억원으로 나타났다. 

이는 역대 가장 많았던 2017년 16조8000억원보다 약 11% 늘어난 규모다. 매출액(243조7714억원) 대비 비중으로도 7.7% 수준으로 2003년(8.1%) 이후 최고치다.

삼성전자는 사업보고서를 통해 "낸드의 경우 평면(Planar) 타입과 수직(Vertical) 타입을 동시에 양산하는 등 고객이 원하는 모든 제품을 적기 대응하고 있다"며 "특히, 경쟁사 대비 앞선 기술력을 확보한 수직형 낸드는 5세대 적층 제품을 본격 양산하여 비중을 확대하고 있으며, 이를 고성능 SSD에 탑재해 프리미엄 시장에 적극 진입하고 있다"고 전했다.

▲삼성전자 평택 반도체 공장 건설 전경. [제공=삼성전자]

SK하이닉스 역시 R&D에 2조8950억원을 투자해 역대 최대 수준을 기록했다. 이는 전기의 2조4870억원보다 16.4% 증가한 수준이다.

지난해 메모리 반도체 산업의 호황으로 SK하이닉스는 2018년 매출액 40조4451억원, 영업이익 20조8438억원, 순이익 15조5400억원을 기록했다.

SK하이닉스의 사업보고서 내에서 반도체 사업의 핵심 경쟁력으로 ▲기술 및 원가 경쟁력 ▲시장 대응 능력(고객 확보, 제품 포트폴리오) ▲설비투자 능력 등을 꼽았다. 

SK하이닉스는 "앞으로는 생산기술의 고도화를 통한 투자 절감과 제품의 부가가치 증대를 위해 다양한 선행기술 및 응용기술 개발, 메모리 컨트롤러와 펌웨어가 결합된 응용복합제품의 개발이 중요한 사업 경쟁력이 될 것"으로 내다봤다.

현재 삼성전자와 Sk하이닉스의 주력 제품인 D램(DDR4 8Gb 기준) 가격은 지난해 3월 9.1달러에서 올해 3월말 4.56달러로 반 토막 났다. 낸드플래시 가격도 같은 기간 30% 떨어진 상황이다.

두 회사는 장기적으로 메모리 반도체 시장이 살아날 것을 대비해 공장 건설 등 시설투자도 늘렸다.

▲SK하이닉스 이천 공장 전경. [제공=SK하이닉스]

SK하이닉스는 지난해 10월 충북 청주 M15 공장을 완공했고, 12월에는 본사가 있는 경기도 이천에 신규 D램 생산라인인 M16 착공에 들어갔다.

삼성전자는 현재 평택 반도체 2공장, 중국 시안에 반도체 공장을 짓고 있다.

한국반도체산업협회 관계자는 "5G 서비스가 시작되면 처리해야 할 정보량이 많아지기 때문에 반도체 수요가 늘어날 것"이라며 "현재 시장이 위축됐지만 지금이 R&D를 강화해 고부가가치 제품을 축적해야 하는 시점"이라고 말했다.

한편 시장조사기관 가트너에 따르면 지난해 세계 반도체 시장규모는 4767억달러(약 540조 1000억원)에 달했으며 이 중 메모리 제품은 약 1658억달러(187조8500억원)로 전체 반도체 시장의 약 35% 수준에 이르렀다.

메모리 제품 중 D램은 전체 메모리 반도체 시장의 62%, 낸드플래시가 35%, 기타 메모리가 3% 수준으로 집계됐다.

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